发明名称 |
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法,该薄膜晶体管阵列面板包括:基底;数据线,形成在基底上;栅极线,与数据线交叉并包括栅电极;源电极,连接到数据线;漏电极,与源电极相对;有机半导体,与源电极和漏电极部分接触;栅极绝缘构件,位于栅电极和有机半导体之间;绝缘存储体,具有开口,有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中,该开口形成为形,在该形中水平部分和垂直部分交叉。 |
申请公布号 |
CN101086996B |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN200610148642.1 |
申请日期 |
2006.11.20 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
赵承奂;金泳敏;宋根圭 |
分类号 |
H01L27/28(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;李云霞 |
主权项 |
一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括:在基底上形成数据线;在所述数据线上形成中间层绝缘膜;在所述中间层绝缘膜上形成包括栅电极的栅极线;在所述中间层绝缘膜和所述栅极线上形成有机膜;通过对所述有机膜进行曝光和显影来形成暴露所述栅电极的开口,所述开口为十字形并由水平部分和与所述水平部分交叉的垂直部分组成;在所述开口中形成栅极绝缘构件;在所述有机膜和所述栅极绝缘构件上形成源电极和漏电极;在位于所述开口中的所述源电极和所述漏电极上形成有机半导体。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 |