| 发明名称 | 通过湿法刻蚀来制造具有浅沟槽隔离结构的硅片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种通过湿法刻蚀来制造具有浅沟槽隔离结构的硅片的方法，该方法包括：提供硅衬底(100)，硅衬底(100)的前侧具有沟槽、前侧衬垫氧化硅层(101)、前侧氮化硅层(102)、形成在沟槽内的衬里氧化硅层(106)和填充有氧化硅的隔离区(105)；硅衬底(100)的背侧具有背侧衬垫氧化硅层(103)和背侧氮化硅层(104)；使用浓度为40重量％以上的氢氟酸来去除背侧氮化硅层(104)；然后使用浓度为80重量％以上且温度为150-180℃的热磷酸水溶液来去除前侧氮化硅层(102)，从而形成具有浅沟槽隔离结构的硅片。 | ||
| 申请公布号 | CN102136446A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010102405.8 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨永刚;刘轩;谢志勇;李娜 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种通过湿法刻蚀来制造具有浅沟槽隔离结构的硅片的方法，该方法包括：提供前侧具有沟槽的硅衬底(100)，所述硅衬底(100)的前侧还具有前侧衬垫氧化硅层(101)、覆盖在前侧衬垫氧化硅层101上的前侧氮化硅层(102)、形成在所述沟槽内的衬里氧化硅层(106)和覆盖在衬里氧化硅层(106)上的填充有氧化硅的隔离区(105)，所述硅衬底(100)的背侧具有背侧衬垫氧化硅层(103)和覆盖在背侧衬垫氧化硅层(103)上的背侧氮化硅层(104)；使用浓度为40重量％以上的氢氟酸来去除背侧氮化硅层(104)；然后使用浓度为80重量％以上且温度为150‑180℃的热磷酸水溶液来去除前侧氮化硅层(102)，从而形成具有浅沟槽隔离结构的硅片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||