| 发明名称 | 制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，包括下列步骤：a：提供第一器件和与所述第一器件类型相反的第二器件；b：在所述第一器件和所述第二器件的上方形成氧化物层；c：对第一器件进行离子注入工艺形成源极和漏极；d：对第二器件进行离子注入工艺形成源极和漏极；e：进行氧化物层剥离工艺。该方法能够有效解决由于氧化物层剥离工艺引起的饱和电流漂移的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102136455A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010102435.9 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵林林 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，包括下列步骤：a：提供第一器件和与所述第一器件类型相反的第二器件；b：在所述第一器件和所述第二器件的上方形成氧化物层；c：对第一器件进行离子注入工艺形成源极和漏极；d：对第二器件进行离子注入工艺形成源极和漏极；e：进行氧化物层剥离工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||