光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种光器件及其制造方法。本发明的一个目的是提供该光器件及其制造方法，由此获得电的/热的/结构的稳定性，并且能够同时形成P型电极和N型电极。为了达到上述目的，所述发明的光器件包括：基于GaN的层；形成在所述基于GaN的层上的高浓度的基于GaN的层；形成在所述高浓度的基于GaN的层上的第一金属镓化合物层；形成在所述第一金属镓化合物层上的第一金属层；形成在所述第一金属层上的第三金属铝化合物层；以及形成在所述第三金属铝化合物层上的导电的氧化防护层。

主权项

一种光器件，包括：第一P型基于GaN的层；第二P型基于GaN的层，其空穴浓度高于所述第一P型基于GaN的层的空穴的浓度，且形成在所述第一P型基于GaN的层上；第一金属‑Ga化合物层，形成在所述第二P型基于GaN的层上；第一金属层，形成在所述第一金属‑Ga化合物层上；第三金属‑Al化合物层，形成在所述第一金属层上；以及导电的防氧化层，形成在所述第三金属‑Al化合物层上。