一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型的晶体硅异质结叠层太阳电池制作方法，用单晶硅片为主体材料，在正面和背面分别沉积非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜，再在两面上分别沉积透明导电薄膜构成电极，最后采用丝网印刷形成正、背面的栅电极汇集光生电流。非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜的沉积工艺是热丝化学气相沉积技术，该工艺具有高速、高质量沉积薄膜的优点，适合大规模产业化生产。

主权项

晶体硅异质结叠层太阳电池，包括有晶体硅原片，其特征在于：所述的晶体硅原片的正、背面分别沉积有本征非晶硅薄膜，所述的本征非晶硅薄膜的表面分别沉积有重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜，并分别形成异质结，重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜的表面分别沉积有透明导电薄膜，所述的透明导电薄膜上分别制备有正、背面电极。