发明名称 包括具有堆叠结构的半导体芯片的存储卡和存储系统
摘要 本发明公开了一种包括具有堆叠结构的半导体芯片的存储卡和存储系统。所述存储卡包括:多个端口,形成在所述存储卡的外表面上;存储控制器,结合到所述多个端口,所述存储控制器被配置成通过所述端口与外部主机进行通信并基于从所述外部主机接收的信号来产生用于控制存储操作的多个内部信号;存储装置,结合到所述存储控制器,并包括彼此竖直堆叠的至少两个半导体芯片。每个半导体芯片包括用于接收来自所述存储控制器的所述多个内部信号的多个基底穿孔。所述存储控制器基于经由第一端口接收的第一信号来产生第一内部信号和第二内部信号,所述第一内部信号和所述第二内部信号分别通过彼此电绝缘的第一信号路径和第二信号路径被提供到存储装置。
申请公布号 CN102136292A 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN201010624592.6 申请日期 2010.12.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 尹宣弼
分类号 G11C7/10(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 韩明星;罗延红
主权项 一种存储卡,包括:多个端口,形成在所述存储卡的外表面上;存储控制器,结合到所述多个端口,所述存储控制器被配置成通过所述端口与外部主机进行通信并基于从所述外部主机接收的信号来产生用于控制存储操作的多个内部信号;存储装置,结合到所述存储控制器,并包括彼此竖直堆叠的至少两个半导体芯片,其中,每个半导体芯片包括用于接收来自所述存储控制器的所述多个内部信号的多个基底穿孔,其中,所述存储控制器基于经由第一端口接收的第一信号来产生第一内部信号和第二内部信号,所述第一内部信号和所述第二内部信号分别通过彼此电绝缘的第一信号路径和第二信号路径被提供到存储装置。
地址 韩国京畿道水原市