半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：通过在衬底上形成半导体层叠结构，从而形成具有多个半导体激光器的晶片的工序；在所述半导体激光器之间，在所述晶片的主面形成第1槽部的工序；在形成所述第1槽部之后，将所述晶片分离为所述半导体激光器排列为棒状的激光棒的工序；在所述激光棒的所述第1槽部内，形成具有与所述第1槽部相同或较窄的宽度的第2槽部的工序；以及沿着所述第2槽部将所述激光棒分离为各个所述半导体激光器的工序。