半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，即使使用ZnO半导体膜，并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含：通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。

主权项

一种制造液晶显示器的方法，包括：在第一衬底上形成有源矩阵部分；其中，该有源矩阵部分包括至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：作为沟道形成区域的含有氧化锌的半导体膜；与所述半导体膜接触的包含氧化物的导电膜；以及与所述导电膜接触的金属膜，其中所述导电膜在所述半导体膜和所述金属膜之间；在所述有源矩阵部分周围形成密封剂的闭合图案；将液晶组合物滴在所述闭合图案中；以及在滴液晶组合物之后将第一衬底和第二衬底相互附接。