| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路及其制造方法，该集成电路包含一第一存储器阵列及一耦接至此第一存储器阵列的逻辑电路。此第一存储器阵列中所有存储单元的所有晶体管及此逻辑电路的所有晶体管皆为鳍式场效应晶体管，且皆具有沿着一第一纵向排列的栅极电极。本发明仅需进行两次离子注入工艺来注入离子，可达到降低集成电路制造成本的目标。 | ||
| 申请公布号 | CN102136477A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010196345.0 | 申请日期 | 2010.06.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：一第一存储器阵列；以及一逻辑电路，耦接该第一存储器阵列，其中该第一存储器阵列中所有存储单元的所有有源式晶体管及该逻辑电路中所有有源式晶体管为鳍式场效应晶体管，并具有沿着一第一纵向排列的栅极电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||