发明名称 |
对非易失性存储器的选择性擦除操作 |
摘要 |
非易失性存储系统可以选择性地对连接到公共字线(或其他类型的控制线)的非易失性存储元件的子集进行一个或多个擦除操作,而不有意擦除连接到公共字线(或其他类型的控制线)而不在该子集中的其他非易失性存储元件。 |
申请公布号 |
CN102138183A |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN200980133771.5 |
申请日期 |
2009.06.30 |
申请人 |
桑迪士克公司 |
发明人 |
杰弗里.W.卢茨;李艳 |
分类号 |
G11C16/16(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种用于调节非易失性存储器的方法,包括:将沟道区域的第一集合升压到用于非易失性存储元件的第一集合的第一电压范围,而不将沟道区域的第二集合升压到用于非易失性存储元件的第二集合的所述第一电压范围,所述沟道区域的第一集合和所述沟道区域的第二集合是公共衬底区域的部分;以及向所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合施加公共使能电压以便降低所述非易失性存储元件的第一集合的阈值电压,而不有意降低所述非易失性存储元件的第二集合的阈值电压。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |