发明名称 COMPOSITION FOR POLISHING SILICON NITRIDE AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTIVITY USING SAME
摘要 <p>본 발명의 질화 규소 연마용 조성물은, 콜로이달 실리카와, 인산계 화합물 및 황산 화합물로 이루어지는 연마조제를 포함한다. 또한 산화제를 포함함으로써, 질화 규소막의 연마 속도에 대한 금속막의 연마 속도의 비인 제1 선택비, 및 질화 규소막의 연마 속도에 대한 산화 절연막의 연마 속도의 비인 제2 선택비를 제어한다.</p>
申请公布号 KR20110084903(A) 申请公布日期 2011.07.26
申请号 KR20117010294 申请日期 2009.10.19
申请人 NITTA HAAS INCORPORATED 发明人 TANAKA RIKA
分类号 C09K3/14;B24B37/00;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人
主权项
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