| 主权项 |
一种具有萤光粉之太阳能电池，包含：一光电转换层，系用于将光能转换为电能；一萤光粉层，系设置于该光电转换层之至少一侧，用于增加光电转换效率；该萤光粉系上转换萤光粉或下转换萤光粉，该上转换萤光粉系选自X2Mo2O9:X或X2Mo2O9:X,X，该下转换萤光粉系选自JQX(PO4)2:X3+或JQX(PO4)2:X2+,X2+，其中X代表任一种稀土金属，J代表锂、钠或钾，而Q代表任一种硷土金属。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该上转换萤光粉系La2Mo2O9:Yb,Er或La2Mo2O9:Yb,Ho。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该下转换萤光粉系KCaGd(PO4)2:Eu3+或KSrGd(PO4)2:Eu3+。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该萤光粉层进一步包含BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+或(Ba,Sr,Mg)2SiO4:Eu2+。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该萤光粉层进一步包含一高分子涂料，其系选自PMMA、聚醯胺及矽化合物中之一者或其组合。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该光电转换层系选自P型半导体及N型半导体中之一者或其组合。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该光电转换层系选自多晶矽、单晶矽、非晶矽及CdTe中之一者或其组合。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，进一步包含一抗反射层，其系设置于该光电转换层之至少一侧、该光电转换层及该萤光粉层之间或该萤光粉层之至少一侧。如申请专利范围第8项所述之太阳能电池，其中该抗反射层系选自氮化矽、氧化矽及氮氧化矽中之一者或其组合。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该萤光粉层系藉由网版印刷、蒸镀、溅镀、涂布或贴合方式所形成。如申请专利范围第1项所述之太阳能电池，其中该萤光粉层之厚度系1至100微米。 |
