| 主权项 |
一种多晶片堆叠方法，包含之步骤为：提供一半导体晶圆，该半导体晶圆系一体包含有复数个第一晶片以及复数个在该些第一晶片之间之切割道，每一第一晶片系具有一主动面以及复数个在该主动面上之焊垫；形成一层图案化保护层于该些第一晶片之该主动面上，该图案化保护层系包含有复数个防碎片护垫，其系位于该些切割道之交会区并占据该些第一晶片之主动面角隅；沿着该些切割道切割该半导体晶圆与该些防碎片护垫，以使该些第一晶片分离并使每一防碎片护垫形成为复数个位于该些第一晶片之主动面角隅上之晶圆级角隅间隔体；设置已形成该些晶圆级角隅间隔体之该第一晶片于一基板；电性连接该第一晶片与该基板；形成一黏着胶于该第一晶片之该主动面；设置一第二晶片于该第一晶片之该主动面上，该第二晶片之一背面系支撑于该些晶圆级角隅间隔体上并接触该黏着胶；以及固化该黏着胶，以黏着已形成该些晶圆级角隅间隔体之该第一晶片与该第二晶片，该黏着胶于固化后之厚度系由该些晶圆级角隅间隔体之高度所定义。如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠方法，其中该黏着胶系为液态涂胶。如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠方法，其中该黏着胶系覆盖该第一晶片之该主动面之中央与侧边。如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠方法，其中该黏着胶系覆盖至该第一晶片之该些焊垫。如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠方法，其中在该些晶圆级角隅间隔体与该第二晶片之背面之间为无黏性。如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠方法，其中上述电性连接步骤中，形成有复数个焊线，该些焊线之一端系连接至该第一晶片之该些焊垫。如申请专利范围第或1或6项所述之多晶片堆叠方法，其中该些焊垫系排列于该第一晶片之主动面之侧边。如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠方法，其中该第二晶片系实质相同于已形成该些晶圆级角隅间隔体之该晶片，而设有复数个晶圆级角隅间隔体。一种多晶片堆叠结构，包含：一第一晶片，系具有一主动面以及复数个在该主动面上之焊垫；复数个晶圆级角隅间隔体，系位于该第一晶片之主动面角隅上；一基板，用以设置已形成该些晶圆级角隅间隔体之该第一晶片；复数个焊线，系电性连接该第一晶片之该些焊垫至该基板；一黏着胶，系形成于该第一晶片之该主动面；以及一第二晶片，系设置于该第一晶片之该主动面上，该第二晶片之一背面系支撑于该些晶圆级角隅间隔体上并接触该黏着胶；其中，该黏着胶系固化以黏着已形成该些晶圆级角隅间隔体之该晶片与该第二晶片，该黏着胶于固化后之厚度系由该些晶圆级角隅间隔体之高度所定义。如申请专利范围第9项所述之多晶片堆叠结构，其中该黏着胶系为液态涂胶。如申请专利范围第9项所述之多晶片堆叠结构，其中该黏着胶系覆盖该第一晶片之该主动面之中央与侧边。如申请专利范围第9项所述之多晶片堆叠结构，其中该黏着胶系覆盖至该第一晶片之该些焊垫。如申请专利范围第9项所述之多晶片堆叠结构，其中在该些晶圆级角隅间隔体与该第二晶片之背面之间为无黏性。如申请专利范围第9项所述之多晶片堆叠结构，其中该些焊垫系排列于该第一晶片之主动面之侧边。如申请专利范围第9项所述之多晶片堆叠结构，其中该第二晶片系实质相同于已形成该些晶圆级角隅间隔体之该晶片，而设有复数个晶圆级角隅间隔体。 |
