发明名称 微影系统及其制程
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.07.21
申请号 TW095121556 申请日期 2006.06.16
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吴宗显;杨大弘;卢志远
分类号 G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种微影制程,包括:接收具有一感光层的一基底;提供一光源,能够使该感光层的一部分曝光;提供一光罩,能够定义出要转移到该感光层的至少一个图案,其中该光罩在其第一表面处接收来自所述光源的电磁波,且从其第二表面产生多个电磁成分,其中该些电磁成分包括所述电磁波的绕射;提供一透镜,用于将该图案转移到该感光层,且该透镜在其下表面处提供平整表面,其中该透镜以三维方式进行移动;以及调节该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的距离,以控制投射到该感光层上的该些电磁成分的数目和量。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该光罩包括多个绕射光栅,用于定义要转移到该感光层的所述图案。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中提供该透镜的平整表面和该基底的上表面之间无中间物质。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该光源包含具有约为248奈米或更小的波长的紫外线光源。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的距离小于400奈米。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该基底的上表面具有约100埃或小于100埃的表面平整度变化。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该感光层包含光阻层。如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该基底在该感光层的上方具有抗反射层。一种微影系统,包括:一基底台,用于支撑具有一感光层的一基底;一光源,其能够使该感光层的一部分曝光;一光罩,其能够定义要转移到该感光层的至少一个图案,该光罩在其第一表面处接收来自所述光源的电磁波,且从其第二表面产生多个电磁成分,其中该些电磁成分包括所述电磁波的绕射;一光罩台,用于支撑该光罩;一透镜,用于将该图案转移到该感光层,且该透镜在其下表面处提供平整表面;一透镜台,用于支撑该透镜,且该透镜台以三维方式移动该透镜;以及一台控制装置,其与该基底台和该透镜台中的至少一者耦合,该台控制装置能够调节该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的距离,以控制投射到该感光层上的该些电磁成分的数目和量。如申请专利范围第9项所述之微影系统,其中该光罩包括多个绕射光栅,用于定义要转移到该感光层的所述图案。如申请专利范围第9项所述之微影系统,其中提供所该透镜的平整表面和该基底的上表面之间无中间物质。如申请专利范围第9项所述之微影系统,其中该光源包含具有约为248奈米或更小的波长的紫外线光源。如申请专利范围第9项所述之微影系统,其中该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的所述距离小于400奈米。如申请专利范围第9项所述之微影系统,其中该基底的上表面具有约100埃或小于100埃的表面平整度变化。
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