| 主权项 |
一种形成多晶矽的氨电浆处理方法，系用以在一半导体前段制程中以一氨电浆处理尚未被制作为元件的一非晶矽层，其包括步骤：于一基层上形成该非晶矽层；曝露该非晶矽层于该氨电浆；投射准分子雷射于该非晶矽层；以及退火该非晶矽层而形成一多晶矽层。如申请专利范围第1项所述的方法，其中该半导体前段制程系为一晶圆前段制程(front-end-of-line，FEOL)、一平面显示器前段阵列制程(array process)、一太阳能板前段制程或者一主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)前段制程。如申请专利范围第1项所述的方法，其中该基层为一缓冲氧化层。如申请专利范围第1项所述的方法，其中该氨电浆系由纯氨气形成，该非晶矽层系经由一化学气相沈积(CVD)制程而曝露在该氨电浆之中，该化学气相沈积制程为一电子回旋共振化学气相沈积(ECR-CVD)制程、一电浆辅助化学气相沈积(PECVD)制程或者一高密度电浆化学气相沈积(HDP-CVD)制程。如申请专利范围第1项所述的方法，其中该氨电浆为密度大于10”ions/m3的电浆。如申请专利范围第1项所述的方法，其中进行该曝露步骤时，该基板的温度维持在300℃。如申请专利范围第1项所述的方法，其中进行该曝露步骤时，RF功率密度设定为0.6W/cm2。如申请专利范围第1项所述的方法，其中该曝露步骤持续至少30分钟。如申请专利范围第1项所述的方法，其中该退火步骤系应用一固相结晶法、一准分子雷射结晶法、一电子束感应结晶法、一炉管退火或者一雷射退火。一种形成多晶矽的氨电浆处理方法，系用以在半导体前段制程中以一氨电浆处理尚未被制作为元件的一非晶矽，其包括步骤：于一基层上形成该非晶矽；以该氨电浆处理该非晶矽；以及退火该非晶矽而形成一多晶矽。如申请专利范围第10项所述的方法，其中该半导体前段制程系为一晶圆前段制程(front-end-of-line，FEOL)、一平面显示器前段阵列制程(array process)、一太阳能板前段制程或者一主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)前段制程。如申请专利范围第10项所述的方法，其中该氨电浆处理步骤更包括步骤：曝露该非晶矽于氨电浆；以及投射准分子雷射于该非晶矽。如申请专利范围第10项所述的方法，其中该基层为缓冲氧化层。如申请专利范围第10或12项所述的方法，其中该氨电浆系由纯氨气形成，该非晶矽系经由一化学气相沈积(CVD)制程而曝露在该氨电浆之中，该化学气相沈积制程为一电子回旋共振化学气相沈积(ECR-CVD)制程、一电浆辅助化学气相沈积(PECVD)制程或者一高密度电浆化学气相沈积(HDP-CVD)制程。如申请专利范围第10或12项所述的方法，其中该氨电浆为密度大于10”ions/m3的电浆。如申请专利范围第10项所述的方法，其中进行该曝露步骤时，该基板的温度维持在300℃。如申请专利范围第10项所述的方法，其中进行该曝露步骤时，RF功率密度设定为0.6W/cm2。如申请专利范围第10项所述的方法，其中该曝露步骤持续至少30分钟。如申请专利范围第10项所述的方法，其中该退火步骤系应用一固相结晶法、一准分子雷射结晶法、一电子束感应结晶法、一炉管退火或者一雷射退火。 |
