| 主权项 |
一种高频率模组，其在多层基板组装有：发讯用滤波器和收讯用滤波器，其直接或经由分频电路连接到天线端子，用来切换发讯系和收讯系；匹配电路，其插入在上述收讯用滤波器之输入侧；和高频率电力放大电路，其连接到上述发讯用滤波器，用来对指定之发讯通过频带之发送讯信号进行放大；而将构成上述匹配电路之一部份之被动元件，形成在上述多层基板内部之介电质层，上述发讯用滤波器及收讯用滤波器系SAW(弹性表面波)滤波器，构成形成在同一压电基板上之1个裸晶片。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，上述匹配电路插入在上述收讯用滤波器之输入端子和上述发讯用滤波器之输出端子之间。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，上述匹配电路包含形成在多层基板内部之介电质层之分布常数线路。如申请专利范围第3项之高频率模组，其中，上述匹配电路更包含有形成在多层基板内部之介电质层之电感元件和/或电容元件。如申请专利范围第3项之高频率模组，其中，上述匹配电路更包含有配置在多层基板表面之电感元件和/或电容元件之晶片零件。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，在上述裸晶片之主面形成有IDT电极、该IDT电极之输入/输出电极和包围该IDT电极之接地电极；上述接地电极和输入/输出电极，与形成在上述多层基板表面之电极，以面对之状态接合；在上述IDT电极之SAW传输部份形成有密闭空间。如申请专利范围第6项之高频率模组，其中，上述裸晶片之接地电极和输入/输出电极，与形成在上述多层基板表面之电极之接合，以焊接形成。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，在上述多层基板形成凹部，在该凹部内组装上述裸晶片。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，在上述多层基板之背面组装上述裸晶片。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，将上述裸晶片组装在与上述多层基板不同之基板之表面上，作为SAW封装。如申请专利范围第6项之高频率模组，其中，利用模制树脂气密式地密封被组装在上述多层基板上之零件。如申请专利范围第11项之高频率模组，其中，上述模制树脂系热硬化性树脂，其弯曲弹性率在常温为4~8GPa，在220℃为0.2~0.5GPa，且具有玻璃转移温度为100~150℃之特性。如申请专利范围第11项之高频率模组，其中，上述多层基板之线膨胀系数在25~400℃为8~18×10-6/℃。如申请专利范围第12项之高频率模组，其中，上述热硬化性树脂之上述玻璃转移温度以下之线膨胀系数为25~80×10-6/℃。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，依照构成上述高频率电力放大电路之一部份之发讯用电力放大元件之发热所预测之各上述SAW滤波器之温度上升，将SAW滤波器之频率特性设定成为高于被要求之设计值。如申请专利范围第15项之高频率模组，其中，上述SAW滤波器之频率特性系SAW滤波器之通过频带特性，该通过频带之高频率端被设定成为高于被要求之设计值。如申请专利范围第15项之高频率模组，其中，上述SAW滤波器之频率特性系SAW滤波器之阻止频带特性，该阻止频带之高频率端设定成为高于被要求之设计值。如申请专利范围第15项之高频率模组，其中，依照自上述发讯用电力放大元件至各上述SAW滤波器之距离，预测各上述SAW滤波器之温度上升。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，构成上述分频电路之一部份之被动元件形成在上述多层基板内部之介电质层。如申请专利范围第1项之高频率模组，其中，上述多层基板系包含陶瓷介电质层之多层陶瓷基板。一种携带式终端器等之通信机器，其装载有申请专利范围第1项之高频率模组。一种高频率模组，其在多层基板组装有：发讯用滤波器和收讯用滤波器，其直接或经由分频电路连接到天线端子，用来切换发讯系和收讯系；匹配电路，其插入在上述收讯用滤波器之输入侧；和高频率电力放大电路，其连接到上述发讯用滤波器，用来对指定之发讯通过频带之发送信号进行放大；而上述发讯用滤波器及收讯用滤波器系SAW滤波器，并形成为裸晶片，在上述裸晶片之主面形成有IDT电极、该IDT电极之输入/输出电极和包围该IDT电极之接地电极，上述接地电极和输入/输出电极，与形成在上述多层基板表面之电极，以面对之状态接合，在上述IDT电极之SAW传输部份形成密闭空间。如申请专利范围第22项之高频率模组，其中，利用模制树脂气密式地密封被组装在上述多层基板上之零件。如申请专利范围第23项之高频率模组，其中，上述模制树脂系热硬化性树脂，其弯曲弹性率在常温为4~8GPa，在220℃为0.2~0.5GPa，且具有玻璃转移温度为100~150℃之特性。如申请专利范围第23项之高频率模组，其中，上述多层基板之线膨胀系数在25~400℃为8~18×10-6/℃。如申请专利范围第24项之高频率模组，其中，上述热硬化性树脂之上述玻璃转移温度以下之线膨胀系数为25~80×10-6/℃。一种携带式终端机等之通信机器，其装载有申请专利范围第22项之高频率模组。一种高频率模组，其在介电质基板上组装有发讯用电力放大元件和SAW滤波器；且依照上述发讯用电力放大元件之发热所预测之SAW滤波器之温度上升，将上述SAW滤波器之频率特性设定成为高于被要求之设计值。如申请专利范围第28项之高频率模组，其中，上述SAW滤波器之频率特性系SAW滤波器之通过频带特性，该通过频带之高频率端被设定成为高于被要求之设计值。如申请专利范围第28项之高频率模组，其中，上述SAW滤波器之频率特性系SAW滤波器之阻止频带特性，该阻止频带之高频率端设定成为高于被要求之设计值。如申请专利范围第28项之高频率模组，其中，依照自上述发讯用电力放大元件至上述SAW滤波器之距离，预测上述SAW滤波器之温度上升。如申请专利范围第28项之高频率模组，其中，上述SAW滤波器在上述介电质基板上组装多个，依照自上述发讯用电力放大元件至各上述SAW滤波器之距离，预测各上述SAW滤波器之温度上升。一种携带式终端器等之通信机器，其装载有申请专利范围第28项之高频率模组。 |
