| 主权项 |
一种用于在一半导体装置中图案化一或多个特征之方法，该半导体装置包括一基板及在该基板上之一抗反射材料，该方法包括在蚀刻该抗反射材料期间减小该等一或多个特征之至少一关键尺寸，以及在蚀刻该基板期间减小该等一或多个特征之至少一关键尺寸之步骤，其中在蚀刻该基板期间之该等一或多个特征之该至少一关键尺寸系小于在蚀刻该抗反射材料期间之该等一或多个特征之该至少一关键尺寸。如请求项1之方法，其中蚀刻该抗反射材料伴随着电浆聚合物沈积。如请求项1之方法，其中该抗反射材料包括一或多种无机部分。如请求项1之方法，其中该抗反射材料具有结构式M：碳：氢：X，其中M包括一金属且X包括一无机元素。如请求项4之方法，其中M包括一选自由矽、钛、锗、铁、硼、锡及包括该等上述金属中之至少一金属之组合所组成之群的金属。如请求项4之方法，其中X包括一选自由氧、氢、氮及包括该等上述无机元素中之至少一元素之组合所组成之群的无机元素。如请求项1之方法，其中该抗反射材料具有结构式矽：碳：氢：氧。如请求项1之方法，其中该抗反射材料包括一可调整抗蚀刻抗反射涂层。如请求项1之方法，其中该抗反射材料系以旋涂式处理而先前沈积在一基板上。如请求项1之方法，其中该抗反射材料系以电浆增强化学气相沈积而先前沈积在一基板上。如请求项3之方法，其中改变该等一或多种无机部分之量以获得该等一或多个特征之所要减小之关键尺寸。如请求项2之方法，其中该聚合物沈积包括一或多个聚合物层之沈积。如请求项1之方法，其中该等一或多个特征中之每一特征包括一选自由接触孔、通路图案、线条、间隔、椭圆形及包括该等上述特征中之至少一特征之组合所组成之群的特征。如请求项1之方法，其中该等一或多个特征中之任何特定之一特征之该等关键尺寸减小了最高约50奈米。如请求项1之方法，其中该等一或多个特征中之任何特定之一特征之该等关键尺寸减小了最高约80奈米。如请求项1之方法，其中使用一包括以下气体之电浆蚀刻来蚀刻该抗反射材料：至少一碳氟化合物气体；氩气；氧气；及氮气。如请求项16之方法，其中改变该碳氟化合物气体、该氩气、该氧气及该氮气中之一或多种气体之量以获得该等一或多个特征之所要减小之关键尺寸。如请求项2之方法，其中该聚合物沈积包括自约10奈米至约500奈米之一或多个聚合物层之沈积。如请求项1之方法，其进一步包括在该抗反射材料上形成一辐射敏感成像层之步骤，该辐射敏感成像层在成分上不同于该抗反射材料。如请求项19之方法，其中该辐射敏感成像层包括一或多种有机部分。如请求项1之方法，其中该抗反射材料系先前沈积在一包括一介电材料之基板上。如请求项1之方法，其中该抗反射材料系先前沈积在一包括一低K介电材料之基板上。如请求项1之方法，其中该抗反射材料系先前沈积在一包括一选自由以下各材料所组成之群之氧化物材料的基板上：氟矽酸盐玻璃、硼矽酸盐玻璃、硼磷矽酸盐玻璃及包括该等上述氧化物材料中之至少一氧化物材料之组合。一种微影结构，该微影结构包括：一具有一于其中被图案化之特征的抗反射材料，该特征具有至少一减小之关键尺寸；及一基板，其中该抗反射材料系沈积在一基板上，该基板具有一于其中被图案化之特征，该特征具有至少一减小之关键尺寸，其中该基板之该特征之该至少一减小之关键尺寸系小于该抗反射材料之该特征之该至少一减小之关键尺寸。一种用于在一半导体装置中图案化一或多个特征之方法，该方法包括在蚀刻一抗反射材料期间减小该等一或多个特征之一或多个尺寸之步骤，其中该等一或多个尺寸包括该等一或多个特征之在图案化期间所获得之该等特征尺寸；以及在蚀刻该基板期间减小该等一或多个特征之一或多个尺寸，其中在蚀刻该基板期间之该等一或多个特征之该等一或多个关键尺寸系小于在蚀刻该抗反射材料期间之该等一或多个特征之该等一或多个关键尺寸。 |
