| 主权项 |
一种具有倒置结构之有机发光装置，包含一基板、一第一电极、至少两有机层和一第二电极的连续层压物，其中该至少两有机层之一系为一发光层，而该至少两有机层的其中另一系为与该第二电极接触之一包含有一化合物的缓冲层，其中该第一电极系为一阴极，该第二电极系为一阳极，该阴极系成型于该基板上，该至少两有机层与该阳极再叠层于该阴极上，该缓冲层系成型于该发光层上方，藉以保护该发光层避免受到高能离子的伤害，该化合物由下列分子式1所显示：@sIMGTIF!d10015.TIF@eIMG!其中R1至R6分别单独地从一族群中被挑选，该族群包括氢、卤素原子、氰根(-CN)、硝基(-NO2)、磺基(-SO2R)、亚碸(-SOR)、磺醯胺(-SO2NR)、磺酸盐(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯(-COOR)、醯胺(-CONHR或-CONRR’)、取代或无取代直的或分支的C1-C12烷氧基、取代或无取代直的或分支的C1-C12烷基、取代或无取代芳香族或无芳香族的杂环族化合物的环合物、取代或无取代芳香基、取代或无取代单一或二芳香族羟胺、以及取代或无取代芳烷胺；其中R及R’分别单独地从一族群中被挑选，该族群包括取代或无取代的C1-C60烷基、取代或无取代的芳香基、以及取代或无取代5-7员环之杂环族化合物。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该分子式1的化合物系选自由下列分子式1-1到1-6所显示之化合物：@sIMGTIF!d10016.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10018.TIF@eIMG!分子式1-4@sIMGTIF!d10019.TIF@eIMG!@sIMGCHAR!d10038.TIF@eIMG!；以及@sIMGTIF!d10020.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该有机发光装置为一顶部发射型(top emissiontype)发光装置或一双边发射型(both-side emission type)发光装置。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该第二电极系由薄膜形成技术所形成。如申请专利范围第4项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该薄膜形成技术系选自包含溅镀、使用雷射的物理汽相沈积(PVD)以及离子束帮助沉积(ion-beam assisted deposition)之族群。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该第二电极系由一传导氧化膜或具2-6 eV功函数之金属所制成。如申请专利范围第6项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该第二电极系由铟锡氧化物(ITO)所制成。如申请专利范围第6项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该第二电极系由铟锌氧化物(IZO)所制成。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，系进一步包括一具有绝缘性质的氧化物薄膜形成于该第二电极和该缓冲层之间。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该缓冲层亦充作一电洞注入层。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该缓冲层包括分子式1之化合物，该化合物之厚度大于或等于20nm。如申请专利范围第1项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该有机层包括一电子输送层，该电子输送层包含一种具有一族群之材料，该族群系选自包含咪唑、恶唑和噻唑之族群。如申请专利范围第12项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该电子输送层包括一化合物，该化合物系选自包含下列分子式2和分子式3之族群：@sIMGTIF!d10021.TIF@eIMG!其中R7及R8分别单独地从一族群中被挑选，该族群包括氢、1-20碳原子的脂肪族碳氢化合物及芳香杂环族环合物或芳香环合物，R7及R8不同时为氢；Ar从一族群中被挑选，该族群包括芳香杂环族环合物或芳香环合物；R9从一族群中被挑选，该族群包括氢、具有1-6碳原子的脂肪族碳氢化合物、及芳香杂环族环合物或芳香环合物；以及X从一族群中被挑选，该族群包括氧、硫或NR10，其中R10从一族群中被挑选，该族群包括氢、1-7碳原子的脂肪族碳氢化合物、及芳香杂环族环合物或芳香环合物；@sIMGTIF!d10022.TIF@eIMG!其中n是从3到8的一整数；Z为氧、硫或NR；R及R’分别为氢；1-24碳原子的烷基；芳香基或5-20碳原子之杂原子取代芳香基；或卤素；或需要原子以得到完整之稠合芳香环合物；以及B是个连接单元，其包括烷基、芳香基、取代烷基或取代芳香基，且共轭或非共轭地与复合之吲哚(benzazole)一同连接。如申请专利范围第12项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中更包括一电子注入层，其系形成于该第一电极和该电子输送层之间。如申请专利范围第14项所述之具有倒置结构之有机发光装置，其中该电子注入层系为一氟化锂层。一种具有倒置结构之有机发光装置之制造方法，其包含在基板上连续层压一第一电极、至少两有机层以及一第二电极之步骤，其中该第一电极系成型于该基板上为一阴极，该至少两有机层与该第二电极再叠层于该阴极上，该第二电极形成为一阳极，该至少两有机层之一有机层形成为一发光层，该至少两有机层之另一有机层与该第二电极接触且形成为一包含由下列分子式1所显示之化合物的缓冲层，而该缓冲层系成型于该发光层上方，藉以保护该发光层避免受到高能离子的伤害：@sIMGTIF!d10023.TIF@eIMG!其中R1至R6分别单独地从一族群中被挑选，该族群包括氢、卤素原子、氰根(-CN)、硝基(-NO2)、磺基(-SO2R)、亚碸(-SOR)、磺醯胺(-SO2NR)、磺酸盐(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯(-COOR)、醯胺(-CONHR或-CONRR’)、取代或无取代直的或分支的C1-C12烷氧基、取代或无取代直的或分支的C1-C12烷基、取代或无取代芳香族或无芳香族的杂环族化合物的环合物、取代或无取代芳香基、取代或无取代单一或二芳香族羟胺以及取代或无取代芳烷胺，其中R及R’分别单独地从一族群中被挑选，该族群包括取代或无取代的C1-C60烷基、取代或无取代的芳香基以及取代或无取代5-7员环之杂环族化合物。如申请专利范围第16项所述之方法，其中该第二电极系由薄膜形成技术所形成，其由于含有具高动能之电荷或粒子，而可在包括分子式1之化合物的缓冲层缺少时，对该有机层造成损害。 |
