| 主权项 |
一种影像感测元件封装体，包含：一基底，其上方形成有一影像感测元件及一金属层；一盖板，设置于该基底的上方；一导通孔，形成于该基底之中，且电性连接该金属层；一隔离区域，由一部份之该基底组成；一沟槽绝缘层，围绕该隔离区域，且该隔离区域位于该导通孔与该沟槽绝缘层之间；以及一焊料球体，形成于该基底的背面上，且藉由该导通孔电性连接该影像感测元件。如申请专利范围第1项所述之影像感测元件封装体，其中该基底的厚度系小于150微米。如申请专利范围第1项所述之影像感测元件封装体，更包含由该沟槽绝缘层所围绕的一隔离区域，其对应地形成于该金属层下方的基底之中。如申请专利范围第3项所述之影像感测元件封装体，其中该隔离区域的外型包含圆形或矩形。如申请专利范围第1项所述之影像感测元件封装体，其中该沟槽绝缘层，包含：一沟槽，形成于该基底之中；以及一绝缘材料，填充于该沟槽之中。如申请专利范围第5项所述之影像感测元件封装体，其中该绝缘材料包含氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。如申请专利范围第1项所述之影像感测元件封装体，更包含一支撑部形成于该盖板与该基底之间。如申请专利范围第1项所述之影像感测元件封装体，更包含：一导电层，形成于该基底的背面，且电性连接该导通孔与该焊料球体；以及一阻焊膜，形成于该导电层上。一种影像感测元件封装体，包含：一上方形成有一影像感测元件的基底；一金属层，形成于该基底上，且电性连接至该影像感测元件；复数个沟槽绝缘层，形成于该基底之中；复数个隔离区域，位于该基底之中，其中各该沟槽绝缘层系围绕各该隔离区域，且一部分的该基底位于该些隔离区域中；一导通孔，形成于各该隔离区域内的该基底之中，且该导通孔电性连接至该金属层，且各该隔离区域位于该导通孔与对应的该沟槽绝缘层之间；以及一焊料球体，设置于该基底的一背面上，且藉由该导通孔电性连接该影像感测元件。如申请专利范围第9项所述之影像感测元件封装体，更包含：一盖板，设置于该基底的上方；以及一支撑部，位于该盖板与该基底之间。如申请专利范围第9项所述之影像感测元件封装体，更包含一导电层，形成于该基底的该背面上，且电性连接该导通孔与该焊料球体。如申请专利范围第9项所述之影像感测元件封装体，其中该基底的厚度小于150微米。一种影像感测元件封装体的制作方法，包括：提供上方形成有一影像感测元件及一金属层的一基底；接合一盖板于该基底上；薄化该基底；形成一沟槽绝缘层于该基底之中，且该沟槽绝缘层围绕一部分的该基底，以形成一隔离区域；形成一导通孔于该隔离区域内的该基底之中，且电性连接该金属层，该隔离区域位于该导通孔与该沟槽绝缘层之间；以及形成一焊料球体于该基底的背面上，且电性连接该影像感测元件。如申请专利范围第13项所述之影像感测元件封装体的制作方法，其中接合该盖板，更包括：形成一支撑部于该盖板上；以及涂布一黏着剂于该支撑部上，且接合该盖板于该基底上。如申请专利范围第13项所述之影像感测元件封装体的制作方法，其中薄化该基底系由化学机械研磨的方式完成。如申请专利范围第13项所述之影像感测元件封装体的制作方法，其中形成该沟槽绝缘层，包括：形成一沟槽于该基底之中；以及填充一绝缘材料于该沟槽之中，以形成该沟槽绝缘层。如申请专利范围第16项所述之影像感测元件封装体的制作方法，其中形成该沟槽系由雷射钻孔或乾蚀刻的方式完成。如申请专利范围第13项所述之影像感测元件封装体的制作方法，其中形成该导通孔的方式，包括：形成一孔洞于该隔离区域之中；以及形成一导电层于该基底的背面上，且该导电层延伸至该孔洞之中，以形成该导通孔。如申请专利范围第18项所述之影像感测元件封装体的制作方法，更包括形成一阻焊膜于该导电层上。 |
