| 主权项 |
一种打线连接型半导体封装构造，包含：一基板，其系具有一黏晶区以及复数个在该黏晶区之外的连接指；一液态黏胶，其系形成于该黏晶区；一第一晶片，其系藉由该液态黏胶设置于该基板之该黏晶区并具有复数个焊垫；复数个焊线，其系电性连接该些焊垫与该些连接指；以及一线支撑拦坝，其系设置于该基板上且在该黏晶区与该些连接指之间，并且该液态黏胶系黏接该第一晶片、该基板与该线支撑拦坝。如申请专利范围第1项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该线支撑拦坝系具有一不低于该第一晶片之高度，以避免该些焊线压触该第一晶片之边缘。如申请专利范围第2项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该些焊线系跨过该线支撑拦坝并可压触至该线支撑拦坝。如申请专利范围第1项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该线支撑拦坝系选自于介电胶材、再涂施防焊层与被覆有电绝缘层之金属物之其中之一。如申请专利范围第1项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该第一晶片系具有一主动面、一背面以及复数个在该主动面与该背面之间之侧面。如申请专利范围第5项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该液态黏胶系黏接该第一晶片之背面并沿着该线支撑拦坝黏接至该第一晶片之至少一侧面。如申请专利范围第6项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该液态黏胶系具有一溢出高度(fillet height)，其系高于该第一晶片之该背面但低于该第一晶片之该主动面。如申请专利范围第5或6项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该线支撑拦坝与该第一晶片之相邻侧面之间隙系约相等于该第一晶片之背面与该基板之间隙。如申请专利范围第5项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该些焊垫系排列邻近于该第一晶片之该主动面之边缘。如申请专利范围第9项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该些焊垫至该主动面之间距系小于该线支撑拦坝之宽度。如申请专利范围第1项所述之打线连接型半导体封装构造，另包含有一封胶体，其系密封该第一晶片、该些焊线与该线支撑拦坝。如申请专利范围第1项所述之打线连接型半导体封装构造，另包含有至少一第二晶片，其系叠设于该第一晶片之上方。如申请专利范围第12项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该第二晶片系设置于该线支撑拦坝上。如申请专利范围第13项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该第二晶片之尺寸系大于该第一晶片。如申请专利范围第13项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该第一晶片与该第二晶片之间系另形成有一液态黏胶。如申请专利范围第1项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该些焊线系为逆打焊线，每一焊线系具有一连接于对应连接指之结球端与一连接于对应焊垫之尾端。一种打线连接型半导体封装构造，包含：一基板，其系具有一黏晶区以及复数个在该黏晶区之外的连接指；一黏胶，其系形成于该黏晶区；一第一晶片，其系藉由该黏胶设置于该基板之该黏晶区并具有复数个焊垫；复数个焊线，其系电性连接该些焊垫与该些连接指；以及一线支撑拦坝，其系设置于该基板上且在该黏晶区与该些连接指之间；其中，该些焊线系为逆打焊线且该线支撑拦坝系具有一不低于该第一晶片之高度，每一焊线系具有一连接于对应连接指之结球端与一连接于对应焊垫之尾端，该些焊线系接触至该线支撑拦坝以修正其焊线形状，以致使该些焊线之最大弧高处系远离该第一晶片并概略相等于该线支撑拦坝之高度。如申请专利范围第17项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该线支撑拦坝系选自于介电胶材、再涂施防焊层与被覆有电绝缘层之金属物之其中之一。如申请专利范围第17项所述之打线连接型半导体封装构造，另包含有一封胶体，其系密封该第一晶片、该些焊线与该线支撑拦坝。如申请专利范围第17项所述之打线连接型半导体封装构造，另包含有至少一第二晶片，其系叠设于该第一晶片之上方。如申请专利范围第20项所述之打线连接型半导体封装构造，其中该第二晶片系设置于该线支撑拦坝上。 |
