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经营范围
发明名称
测试光感测单元之测试装置及方法
摘要
申请公布号
TWI345630
申请公布日期
2011.07.21
申请号
TW095116110
申请日期
2006.05.05
申请人
凌耀科技股份有限公司
发明人
曾观荣
分类号
G01M11/02
主分类号
G01M11/02
代理机构
代理人
黄于真 新北市中和区中正路880号4楼之3;李国光 新北市中和区中正路880号4楼之3
主权项
一种测试装置,用于测试一光感测单元,该测试装置包含:一光源,具有复数个并联之发光二极体,用于发出一测试光;一光罩,具有至少一圆筒型壳体和至少一散光介面,且该光源系设置于该光罩内,该测试光系经由该散光介面以发出至该光罩之外部,该散光介面系使该测试光均匀发出至该光罩之外部,且该圆筒型壳体系环绕该散光介面及该光源,以使照射范围局限于该散光介面正上方之直径之圆形区域;以及一感测单元承载区,设置于该光罩之外部,且位于该测试光可到达处,用于承载该光感测单元;其中,藉由该光源发出之该测试光经由该散光介面而到达该感测单元承载区,以测试该光感测单元。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该测试装置更具有一封闭外壳,该封闭外壳系为不透光材质,用于容置该光源、该光罩、该感测单元承载区及该光感测单元。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该测试装置更具有一处理单元,用于接收该光感测单元产生之一测试资料,并根据该测试资料以判断该光感测单元之品质。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该光感测单元系为具有电荷偶合元件(Charge Coupled Device,CCD)或互补式金属氧化半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)之光电二极体。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该些发光二极体系为白光发光二极体(White Light Emitting Diode,WLED)。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该光源系包含七个并联之白光发光二极体,其接收一电源供应端提供之工作电流以发出该测试光。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该些白光发光二极体之位置配置为其中一个白光发光二极体由其余六个白光发光二极体所围绕,且任两个白光发光二极体之间距相等。如申请专利范围第1项所述之测试装置,其中该光源系具有一调整单元,用于调整该测试光之亮度。一种测试方法,用于测试一光感测单元,该测试方法包含:藉由一感测单元承载区以承载该光感测单元;藉由一光源发出一测试光,该光源具有复数个并联之发光二极体,且该光源设置于一光罩内;经由该光罩之至少一散光介面,以发出该测试光至该光罩之外部,该散光介面系使该测试光均匀发出至该光罩之外部,且该光罩之一圆筒型壳体系环绕该散光介面及该光源以使照射范围局限于该散光介面正上方之直径之圆形区域;以及藉由该感测单元承载区系设置于该光罩之外部,并位于该测试光可到达处,以测试该光感测单元。如申请专利范围第9项所述之测试方法,其中更包含利用一封闭外壳容置该光源、该光罩、该感测单元承载区及该光感测单元,且该封闭外壳系为不透光材质。如申请专利范围第9项所述之测试方法,其中更包含藉由一处理单元接收该光感测单元产生之一测试资料,并根据该测试资料以判断该光感测单元之品质。如申请专利范围第9项所述之测试方法,其中该光感测单元系为具有电荷偶合元件(CCD)或互补式金属氧化半导体(CMOS)之光电二极体。如申请专利范围第9项所述之测试方法,其中该些发光二极体系为白光发光二极体(WLED)。如申请专利范围第13项所述之测试方法,其中该些并联之发光二极体系为七个并联之白光发光二极体,其接收一电源供应端提供之工作电流以发出该测试光。如申请专利范围第14项所述之测试方法,其中该些白光发光二极体之位置配置为其中一个白光发光二极体由其余六个白光发光二极体所围绕,且任两个白光发光二极体之间距相等。如申请专利范围第9项所述之测试方法,其中该光源系具有一调整单元,用于调整该测试光之亮度。
地址
新北市新店区复兴路43号6楼之1 TW 6F-1, NO.43, FUSING ROAD,SINDIAN CITY, TAIPEI COUNTY 231, TAIWAN, R.O.C.
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