| 主权项 |
一种发光装置，其包含：一基板；一压在该基板上第一传导性型态的区域；一压在该第一传导性型态区域上的作用区，该作用区包含：复数个量子井层，每一量子井层包含AlxGayIn1-x-yN(0@sIMGCHAR!d10035.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10039.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10040.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10041.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10042.TIF@eIMG!x+y@sIMGCHAR!d10043.TIF@eIMG!1)且具有第一能量带隙；一障蔽层；以及一储存层，配置在该等量子井层之二者间，该储存层包含AlxGayIn1-x-yN(0@sIMGCHAR!d10044.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10045.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10046.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10036.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10037.TIF@eIMG!x+y@sIMGCHAR!d10038.TIF@eIMG!1)，具有第二能量带隙，并提供电荷载子到该量子井层；以及一压在该作用区上的第二传导性型态的区域；其中该第一能量带隙小于该第二能量带隙，该储存层之厚度大于该障蔽层之厚度。如申请专利范围第1项的发光装置，其中：该障蔽层有一第三能量带隙；以及该第三能量带隙大于该第二能量带隙。如申请专利范围第1项的发光装置，其中：该量子井层有第一铟合成比率；该储存层有第二铟合成比率；以及该第一铟合成比率大于该第二铟合成比率。如申请专利范围第3项的发光装置，其中：该障蔽层有第三铟合成比率；以及该第二铟合成比率大于该第三铟合成比率。如申请专利范围第1项的发光装置，其中：该量子井有第一厚度；该储存层有第二厚度；以及该第二厚度大于该第一厚度。如申请专利范围第1项的发光装置，其中：该障蔽层的厚度在大约5埃及大约50埃之间；该量子井层的厚度在大约5埃及大约100埃之间；该储存层的厚度在大约5埃及大约250埃之间。如申请专利范围第1项的发光装置，其中：该障蔽层为有在大约0%及大约15%之间的铟合成比率的GaN或InGaN；该量子井层为有在大约0%及大约30%之间的铟合成比率的GaN或InGaN；该储存层为有在大约0%及大约25%之间的铟合成比率的InGaN。如申请专利范围第1项的发光装置，其中至少部分储存层的合成比率为逐渐改变的。如申请专利范围第8项的发光装置，其中的逐渐变化是单调性的。如申请专利范围第8项的发光装置，其中合成比率系以从包含线性，步阶变化及抛物线状之群组选出的侧写档逐渐变化。如申请专利范围第1项的发光装置，其中该储存层包含有着固定合成比率的第一部分及有着逐渐变化合成比率的第二部分。如申请专利范围第1项的发光装置，其还包含：一连接到第一传导性型态区域的第一接触；一连接到第二传导性型态区域的第二接触；一连接到该第一与该第二接触的次贴附；以及一压在该基板上的镜片。如申请专利范围第1项的发光装置，其中该量子井层，障蔽层及储存层的每一个有一合成比率及一厚度使得：该储存层中电荷载子的驻存时间大于电荷载子从该储存层隧通到该量子井层所需要的时间；以及电荷载子从该储存层隧通到该量子井层所需要的时间大于电荷载子在该量子井层中的驻存时间。一种形成发光装置的方法，该方法包含：提供一第一传导性型态的区域；提供一第二传导性型态的区域；以及提供一分开该第一传导性型态的区域与该第二传导性型态的区域之作用区，其中"提供一作用区"包含：选择复数个量子井层、障蔽层及储存层之一合成比率及厚度使得：该储存层配置在该等量子井层之二者间，并且该储存层之厚度大于该障蔽层之厚度；该储存层中电荷载子的驻存时间大于电荷载子从该储存层隧通到该量子井层所需要的时间；以及电荷载子从该储存层隧通到该量子井层所需要的时间大于电荷载子在该量子井层中的驻存时间。如申请专利范围第14项的方法，其中：该量子井层有第一铟合成比率；该储存层有第二铟合成比率；以及该第一铟合成比率大于该第二铟合成比率。如申请专利范围第15项的方法，其中：该障蔽层有第三铟合成比率；以及该第二铟合成比率大于该第三铟合成比率。如申请专利范围第14项的方法，其中：该量子井层有一第一厚度；该储存层有一第二厚度；以及该第二厚度大于该第一厚度。如申请专利范围第17项的方法，其中：该障蔽层有一第三厚度；以及该第一厚度大于该第三厚度。 |
