| 主权项 |
一种半导体光发射元件，其具有一发光层，该半导体光发射元件包含：一光透射部分，其系设置于该发光层之一主要表面上，且于远离该发光层之一表面上具有凹陷部；以及一透射膜，其系设置于该光透射部分上，以跟随该凹陷部的轮廓，其中源自该发光层之光线系被放射，以穿过该光透射部分与该透射膜，该发光层系夹置于多层之间且设置于一光透射层上，以及该光透射层系由一具有一折射率实质等于该发光层之折射率的材料所制造，且该用于光透射层之材料系选自于GaN、SiC与AlN之组群中。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中，远离该光透射部分之该膜的一表面系为实质平坦。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中，该膜之一主要成分系为聚醯亚胺、环氧化物与聚矽氧烷之一。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中，该膜之一主要成分系为玻璃。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中，该膜包括一发光物质，该发光物质系可为源自该发光层之光线所激发。如申请专利范围第5项之半导体光发射元件，其中，源自该发光层之光线系藉通过该膜而转变成白光。如申请专利范围第5项之半导体光发射元件，放射由源自该发光物质之光线所产生之白光系藉与源自该发光层之光线混合而激发。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中，该凹陷部之间距系等于或大于λ/4，λ系为源自该发光层之光线的波长。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中，该凹陷部系位于远离该发光层之光透射层之一主要表面上。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其系为一光发射二极体元件。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其系为一垂直空腔表面发射雷射元件。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其系为一共鸣空腔光发射二极体元件。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其系为一表面安装元件。一种照明装置，包含一安装基材与一半导体光发射元件，该半导体光发射元件系安装于该安装基材之一表面的一垫上，其中：该半导体光发射元件包括：一发光层；一光透射部分，其系设置于该发光层之一主要表面上，且于远离该发光层之一表面上具有凹陷部；以及一透射膜，其系设置于该光透射部分上，以跟随该凹陷部的轮廓，且源自该发光层之光线系被放射，以穿过该光透射部分与该透射膜，该发光层系夹置于多层之间且设置于一光透射层上，以及该光透射层系由一具有一折射率实质等于该发光层之折射率的材料所制造，且该用于光透射层之材料系选自于GaN、SiC与AlN之组群中。如申请专利范围第14项之照明装置，其中，远离该光透射部分之该膜的一表面系为实质平坦。如申请专利范围第14项之照明装置，其中，该膜之一主要成分系为玻璃。一种显示装置，其包含一安装基材与多数半导体光发射元件，各半导体光发射元件系安装于该安装基材之一表面的一垫上，其中各半导体光发射元件包括：一发光层；一光透射部分，其系设置于该发光层之一主要表面上，且于远离该发光层之一表面上具有凹陷部；以及一透射膜，其系设置于该光透射部分上，以跟随该凹陷部的轮廓，且源自该发光层之光线系被放射，以穿过该光透射部分与该透射膜，该发光层系夹置于多层之间且设置于一光透射层上，以及该光透射层系由一具有一折射率实质等于该发光层之折射率的材料所制造，且该用于光透射层之材料系选自于GaN、SiC与AlN之组群中。如申请专利范围第17项之显示装置，其中，远离该光透射部分之该膜的一表面系为实质平坦。如申请专利范围第17项之显示装置，其中，该膜之一主要成分系为玻璃。一种制造半导体光发射元件的方法，包含下列步骤：于一多层本体上形成一光透射部分，其中一发光层系夹置于多层之间，该光透射部分于远离该发光层上具有凹陷部；以及于该光透射部分上形成一透射膜，以跟随该凹陷部之轮廓，该发光层系设置于一光透射层上，以及该光透射层系由一具有一折射率实质等于该发光层之折射率的材料所制造，且该用于光透射层之材料系选自于GaN、SiC与AlN之组群中。如申请专利范围第20项之制造半导体光发射元件的方法，其中，形成该膜之材料系包括一发光物质，该发光物质系可为源自该发光层之光线所激发。如申请专利范围第21项之制造半导体光发射元件的方法，更包含下列步骤：于形成该膜后抛光该膜，直到膜的厚度变成可使得该放射光线为理想之白光为止。如申请专利范围第20项之制造半导体光发射元件的方法，其中，形成该膜之一材料系包括聚醯亚胺、环氧化物与聚矽氧烷之一。如申请专利范围第20项之制造半导体光发射元件的方法，其中，形成该膜之一材料系包括玻璃。 |
