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一种制作一MOS电晶体结构之方法，该方法包含：于一闸氧化物层上形成一多晶矽层；置入锗，使之与该多晶矽层之一第一部分接触；移除位于制作一闸极所选定之一部分以外的该多晶矽层及该闸氧化物层；于该闸极上方形成一具有拉伸应力之均匀覆盖氮化物层；施用热能于该闸极；及蚀刻该均匀覆盖之氮化物层，以于邻接该闸极处形成一间隙物结构。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之均匀覆盖氮化物层形成的步骤包括：(i)在无一电浆之状态下，将一含矽前导气体流入一制程室中，藉之形成一矽层；(ii)流入一气体以将该含矽前导气体由该制程室涤除；(iii)将该位于该制程室中之该矽层曝露于一含氮电浆，藉之形成氮化矽；及重复步骤(i)－(iii)以增加该氮化矽之一厚度。如申请专利范围第2项所述之方法，还包含在涤除该含矽前导气体前，对该制程室抽真空。如申请专利范围第2项所述之方法，其中上述之矽及氮化矽系于一介于约20至150毫托(mTorr)之压力下形成。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之锗系利用植入法被置入而与该第一部份接触。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之锗被置入与该第一部份接触，系藉由在该多晶矽层中形成一凹处，然后在该凹处内部沈积矽锗(silicon germanium；SiGe)。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述之热能增进该均匀覆盖层之该拉伸应力至2.0 GPa或更高。如申请专利范围第1项所述之方法，还包含：于该闸极及该间隙物结构上方形成一氮化矽蚀刻终止层；及处理该蚀刻终止层以增进该蚀刻终止层之一拉伸应力。如申请专利范围第8项所述之方法，其中上述处理该蚀刻终止层包含将该蚀刻终止层曝露于选自一电浆或UV辐射两者之至少其一处理。如申请专利范围第8项所述之方法，其中上述之蚀刻终止层于一罩层(capping layer)形成在该蚀刻终止层上方后，再曝露于UV辐射照射下。一种制作一MOS电晶体结构之方法，该方法包含：于一闸氧化物层上方形成一多晶矽层；移除位于制作一闸极所选定之一部分以外的该多晶矽层及该闸氧化物层；于该闸极上方形成一具有拉伸应力之均匀覆盖氮化物层；施用热能于该闸极；蚀刻该均匀覆盖之氮化物层，以于邻接该闸极处形成一间隙物结构；于该闸极及该间隙物结构上方形成一氮化矽蚀刻终止层；及增进该蚀刻终止层之一拉伸应力。如申请专利范围第11项所述之方法，其中上述之热能增进该均匀覆盖层氮化物层之该拉伸应力至2.0 GPa或更高。如申请专利范围第11项所述之方法，其中上述之蚀刻终止层之该拉伸应力系藉由曝露于UV辐射照射下而增强。如申请专利范围第13项所述之方法，其中上述之蚀刻终止层于一罩层(capping layer)形成于该蚀刻终止层上方后，曝露于UV辐射照射下。如申请专利范围第14项所述之方法，其中上述之罩层具有一与该蚀刻终止层不同之消光系数(extinction coefficient)。如申请专利范围第15项所述之方法，其中上述之罩层包含一层选自如下至少其一：一抗反射外层、非晶矽、及氮氧化矽。如申请专利范围第12项所述之方法，其中上述之蚀刻终止层之该拉伸应力系藉由曝露于由一电浆产生之能量而增进。一种制作一MOS电晶体结构之方法，该方法包含：于一闸氧化物层上方形成一多晶矽层；置入锗，使之与该多晶矽层之一第一部分接触；移除位于制作一闸极所选定之一部分以外的该多晶矽层及该闸氧化物层；于该闸极上方形成一氮化矽蚀刻终止层；及藉由将该氮化矽蚀刻终止层曝露于选自一电浆或UV辐射两者之至少其一处理，而增进该氮化矽蚀刻终止层之一拉伸应力。如申请专利范围第18项所述之方法，其中上述之蚀刻终止层系于一罩层形成于该蚀刻终止层上方后，曝露于UV辐射照射下。如申请专利范围第19项所述之方法，其中上述之罩层具有一与该蚀刻终止层不同之消光系数。 |
