| 主权项 |
一种薄膜电晶体之介电层，包括：一含氧之矽合物膜；以及一含氮之矽合物膜，且该含氮之矽合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度相对于该含氮之矽合物膜的膜厚的比值实质上大于或实质上等于0.67/um。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之介电层，其中该含氮之矽合物膜之折射系数实质上大于1.8。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之介电层，其中该含氮之矽合物膜之折射系数介于约1.84至约2之间。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之介电层，其中该含氮之矽合物膜之压缩应力介于约115 MPa至约-425MPa之间。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之介电层，其中该含氮之矽合物膜，配置于该含氧之矽合物膜上。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之介电层，其中该含氧之矽合物膜，配置于该含氮之矽合物膜上。一种薄膜电晶体，包括：一基板；一主动层，配置于该基板上，且该主动层中具有一源极区、一汲极区以及位于该源极区与该汲极区之间之一通道区；一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该主动层；一闸极，配置于部份该第一介电层上；一第二介电层，配置在该基板上，且覆盖该闸极；一源极/汲极，配置于部份该第二介电层上，且电性连接于该主动层之该源极区/该汲极区；一第三介电层，配置于该基板上，且覆盖该源极/汲极；以及一画素电极，配置于部份该第三介电层上，且电性连接于该源极/汲极；其中，该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层之其中至少一者具有一含氧之矽合物膜与一含氮之矽合物膜其中至少一者，且该含氮之矽合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度相对于该含氮之矽合物的膜厚的比值实质上大于或实质上等于0.67/um。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，其中该含氮之矽合物膜之折射系数实质上大于1.8。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，其中该含氮之矽合物膜之折射系数介于约1.84至约2之间。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，该含氮之矽合物膜之压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层之其中至少一者具有该含氮之矽合物膜，配置于该含氧之矽合物膜上。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层之其中至少一者具有该含氧之矽合物膜，配置于该含氮之矽合物膜上。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，更包含一缓冲层，配置于该基板上。如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体，其中该缓冲层具有该含氧之矽合物膜与该含氮之矽合物膜其中至少一者，且该含氮之矽合物膜之傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度相对于该含氮之矽合物的膜厚的比值实质上大于或实质上等于0.67/um。如申请专利范围第14项所述之薄膜电晶体，其中，该含氮之矽合物膜，配置于该含氧之矽合物膜上。如申请专利范围第14项所述之薄膜电晶体，其中，该含氧之矽合物膜，配置于该含氮之矽合物膜上。一种薄膜电晶体，包括：一基板；一闸极，配置于该基板上；一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该闸极；一主动层，配置于部份该第一介电层上，且该主动层中具有一源极区、一汲极区以及位于该源极区与该汲极区之间之一通道区；一源极/汲极，连接于该主动层之该源极区/该汲极区；一第二介电层，配置在该基板上，且覆盖该源极/该汲极、该主动层及该第一介电层；以及一画素电极，配置于部份该第二介电层上，且电性连接于该源极/汲极；其中，该第一介电层及该第二介电层之其中至少一者具有一含氧之矽合物膜与一含氮之矽合物膜其中至少一者，且该含氮之矽合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度相对于该含氮之矽合物的膜厚的比值实质上大于或实质上等于0.67/um。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，其中该含氮之矽合物膜之折射系数实质上大于1.8。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，其中该含氮之矽合物膜之折射系数介于约1.84至约2之间。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，该含氮之矽合物膜之压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，其中该第一介电层及该第二介电层之其中至少一者具有该含氮之矽合物膜，配置于该含氧之矽合物膜上。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，其中该第一介电层及该第二介电层之其中至少一者具有该含氧之矽合物膜，配置于该含氮之矽合物膜上。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，更包含一蚀刻缓冲层，配置于部份该源极/汲极之下，且实质上对应于该闸极。如申请专利范围第23项所述之薄膜电晶体，其中该蚀刻缓冲层具有该含氧之矽合物膜与该含氮之矽合物膜其中至少一者，且该含氮之矽合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度相对于该含氮之矽合物的膜厚的比值实质上大于或实质上等于0.67/um。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中，该含氮之矽合物膜，配置于该含氧之矽合物膜上。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中，该含氧之矽合物膜，配置于该含氮之矽合物膜上。如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体，更包含一缓冲层，配置于该基板上。如申请专利范围第27项所述之薄膜电晶体，其中该缓冲层具有该含氧之矽合物膜与该含氮之矽合物膜其中至少一者，且该含氮之矽合物膜在傅立叶转换红外线光谱中的Si-N基的吸收峰强度相对于该含氮之矽合物的膜厚的比值实质上大于或实质上等于0.67/um。如申请专利范围第28项所述之薄膜电晶体，其中，该含氮之矽合物膜，配置于该含氧之矽合物膜上。如申请专利范围第28项所述之薄膜电晶体，其中，该含氧之矽合物膜，配置于该含氮之矽合物膜上。一种显示面板，包含阵列排列的多个画素，且该些画素是由如申请专利范围第7项、第17项或第23项之薄膜电晶体所驱动。一种光电装置，包含如申请专利范围第31项所述之显示面板。 |
