Verfahren zur Steuerung der Elektronenstrahl-Belichtung von Wafern und Masken mit Proximity-Korrektur

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren der Elektronenstrahl-Lithographie zur Herstellung von Wafern und Masken. Zur Verminderung der Auswirkungen des störenden Proximity-Effekts wird ein erweiterter Korrektur-Algorithmus zur Steuerung des Elektronenstrahls eingesetzt, der eine genauere Korrektur ermöglicht. Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein verbessertes Korrekturverfahren zu schaffen, mit dem der Kontrast und die CD aller Figuren eines Patterns optimal gesteuert werden können. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass mit einem geometrischen Verfahren zusätzliche Kontrastrahmen (KR) und Rest-Figuren (R) zur Kontraststeuerung zu allen Figuren (F) erzeugt werden. Dann von den Figuren Kontrastrahmen (KR) und Rest-Figuren (R) durch eine negative Sizing-Operation kleinere Figuren (KRsize-S und Rsize-S) erzeugt werden und anschließend diese Figuren (KRsize-S und Rsize-S) in den Proximity-Korrektur-Algorithmus überführt werden mit der Bedingung, dass durch die Dosis-Zuweisung der Resist-Threshold an den Kanten der Figuren (KR, R) erreicht wird.