Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors

摘要

Die Erfindung betrifft ein Photodiodenarray (1) für einen Strahlendetektor (7) mit einer Vielzahl von strukturiert angeordneten Photodioden (2), welche zur Wandlung von Licht in elektrische Signale jeweils einen aktiven Pixelbereich (6) aufweisen, wobei auf dem aktiven Pixelbereich (6) zumindest eines Teils der Photodioden (2) auf einer zur Anordnung eines Szintillatorarrays (3) vorgesehenen Seite des Photodiodenarrays (1) eine transparente Oxidschicht (5) mit einer zu den Photodioden (2) vergleichbaren Brechzahl angeordnet ist. Die Oxidschicht (5) tritt im Vergleich zu bekannten Photodiodenarrays an die Stelle eines Klebers. Auf der Grenzfläche zwischen der Oxidschicht (5) und dem Photodiodenarray (1) wird treffendes Licht durch Angleichung der Brechzahlen weniger stark gebrochen oder reflektiert. Hierdurch verringert sich das optische Übersprechen zwischen benachbarten Pixeln (9). Darüber werden durch die Oxidschicht (5) die aktiven Pixelbereiche (6) der Photodioden (2) optisch sichtbar. Es werden daher die Voraussetzungen zur präzisen Ausrichtung des Photodiodenarrays (1) relativ zu dem Szintillatorarray (3) mittels optischer Kontrolle geschaffen. Insgesamt kann mit diesem Vorgehen im Vergleich zu den bekannten Strahlendetektoren die effektive Lichtausbeute gesteigert werden. Die Erfindung betrifft außerdem ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays (1) und eines solchen Strahlendetektors (7).