MONITORING DEVICE AND METHOD FOR IN SITU MEASURING WAFER THICKNESSES FOR MONITORING A THINNING OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND THINNING DEVICE COMPRISING A WET ETCHING UNIT AND A MONITORING DEVICE

摘要

Erfindungsgemäß wird eine Überwachungsvorrichtung (12) zum Überwachen eines Dünnens mindestens eines Halbleiterwafers(4) in einer Nassätzeinrichtung (5) geschaffen, wobei die Überwachungs Vorrichtung (12) eine Lichtquelle (14), ausgebildet zum Emittieren kohärenten Lichts eines Lichtwellenbandes, für das der Halbleiterwafer (4) optisch transparent ist, aufweist. Weiterhin weist die Überwachungsvorrichtung (12) einen kontaktfrei zu einer zu ätzenden Oberfläche des Halbleiterwafers (4) angeordneten Messkopf (13) auf, wobei der Messkopf (13) zum Bestrahlen des Halbleiterwafers (4) mit dem kohärenten Licht des Lichtwellenbandes und zum Empfangen einer von dem Halbleiterwafer (4) reflektierten Strahlung (16) ausgebildet ist. Darüber hinaus weist die Überwachungsvorrichtung (12) ein Spektrometer (17) und einen Strahlteiler, über den das kohärente Licht des Lichtwellenbandes auf den Messkopf (13) und die reflektierte Strahlung auf das Spektrometer (17) gelenkt wird, auf. Des weiteren weist die Überwachungsvorrichtung (12) eine Auswerteeinheit (18) auf, wobei die Auswerteeinheit (18) zum Ermitteln einer Dicke d(t) des Halbleiterwafers (4) aus der von dem Halbleiterwafer (4) re¬ flektierten Strahlung (16) während des Dünnens des Halbleiterwafers (4) mittels eines Verfahrens, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem lD-se FDOCT- Verfahren, einem lD-te FDOCT- Verfahren und einem lD-se TDOCT-Verfahren, ausgebildet ist.