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Integrierte Schaltung, umfassend eine Vorspannschaltung (33, 35, 37, 39) zum Konstanthalten der Transkonduktanz einer Gm-Zelle (31), wobei die integrierte Schaltung eine On-Chip-Konstantspannungsquelle (56, 58) und eine On-Chip-Konstantstromquelle (41) umfasst, die On-Chip-Konstantstromquelle eine Verbindung für einen externen Widerstand (51) hat, der Wert des externen Widerstands (51) den Strom bestimmt, der durch die Konstantstromquelle (41) generiert wird, gekennzeichnet dadurch, dass die Vorspannschaltung umfasst: Mittel (53) zum Beaufschlagen des Ausgangs der Gm-Zelle (31) mit einem Anteil (&bgr;) des Stroms, der durch die On-Chip-Stromquelle (41) generiert wird; Mittel (58) zum Bereitstellen eines Anteils (α) der Spannung, die durch die On-Chip-Spannungsquelle (56) generiert wird, um den Eingang der Gm-Zelle (31) vorzuspannen; und Mittel (37) zum Steuern der Transkonduktanz der Gm-Zelle, gleich dem Verhältnis des Anteils (IDC) des Stroms, der durch die On-Chip-Stromquelle (41) generiert wird, zu dem Anteil (VDC) der Spannung, die durch die On-Chip-Spannungsquelle (56) generiert wird, zu sein.
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