摘要 |
Infrarotlichtdetektor mit mindestens einem Sensorchip (3, 4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Schichtelement (5, 8) sowie eine Basiselektrode (6, 9) und eine Kopfele (5, 8) zum Abgreifen von in dem Schichtelement (5, 8) durch deren Bestrahlung mit Licht (2) erzeugten elektrischen Signalen angeschlossen ist, und mindestens einem Transimpedanzverstärker (11, 12) zum Verstärken der Signale mit einem Operationsverstärker (19, 25), der mit einer Versorgungsspannungsquelle (13) mit einer positiven Versorgungsspannung asymmetrisch betrieben ist und an dessen invertierenden Eingang (21, 27) die Basiselektrode (6, 9) angeschlossen ist, wobei an der Versorgungsspannungsquelle (13) ein auf Masse (14) gelegter Spannungsteiler (15) mit einem Teilknoten (18) versehen ist, an dem eine Teilspannung anliegt, die kleiner als die Versorgungsspannung ist, und der mit dem nichtinvertierenden Eingang (20, 26) sowie der Kopfelektrode (7, 10) elektrisch gekoppelt ist.
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