二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种二极管，基于NPN型三极管设计而成，其中NPN型三极管的下方具有n型埋层，作为所述NPN型三极管与p型衬底之间的隔离。并且所述NPN型三极管的发射极和基极的下方还具有p型埋层，防止所述NPN型三极管的n型发射极与n型埋层之间穿通。所述NPN型三极管的发射极作为二极管的阴极，将所述NPN型三极管的基极和集电极短接作为二极管的阳极。本发明也可基于PNP型三极管设计。本发明还公开了所述二极管的制造方法。本发明所述二极管具有几乎不漏电、击穿电压大的特点，能够承受高压，可以应用于高压环境。同时其制造方法也具有简单、便利的特点。

主权项

一种二极管，其特征是，p型衬底(20)中具有n型埋层(21)和p型埋层(22)，部分n型埋层(21)之上具有p型埋层(23)，三个埋层之上为n型外延层(24)；在n型外延层(24)中具有高压p阱(251)、高压n阱(252)和高压p阱(253)；其中高压p阱(251)的底部与p型埋层(23)相接触，高压p阱(253)的底部与p型埋层(22)相接触；在高压p阱(251)中有低压n阱(271)；在高压n阱(252)中有低压n阱(272)；在高压p阱(253)中有低压p阱(273)；在低压n阱(271)中有重掺杂n阱(281)，在高压p阱(251)中有重掺杂p阱(282)，在低压n阱(272)中有重掺杂n阱(283)，在低压p阱(273)中有重掺杂p阱(284)；低压n阱(271)、重掺杂p阱(282)、低压n阱(273)之间有隔离结构(26)，高压n阱(252)和高压p阱(253)之间有隔离结构(26)；所述重掺杂n阱(281)作为二极管的阴极，所述重掺杂p阱(282)和重掺杂n阱(283)相连接作为二极管的阳极。