在硅片上复合VO₂空心球结构的相变型材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种在硅片上复合VO2空心球结构的相变型材料及制备方法，包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO2晶体，所述的VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。本发明与现有技术相比，具有成本低，生长条件简单，重复性高等优点，且生成的VO2晶体具有特殊的结构(空心球状)。且本发明采用硅片作为衬底，将VO2空心球结构制备在硅衬底上，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件。本发明的方法，条件温和，生产成本相对较低，产品高重复性，适用于大规模工业生产。

主权项

在硅片上复合VO2空心球结构的相变型材料，其特征在于，包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO2晶体，所述的VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。