| 发明名称 | 氮化物半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（12）以及n型GaN光引导层（14）。在n型GaN光引导层（14）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层（16）。在活性层（16）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（18）、p型GaN光引导层（20）、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（22）、p型GaN接触层（24）。 | ||
| 申请公布号 | CN102130425A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110020200.X | 申请日期 | 2011.01.18 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大野彰仁;竹见政义;山本高裕 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：在衬底上形成n型氮化物类半导体层；在所述n型氮化物类半导体层上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，并且在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层；在所述活性层上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型氮化物类半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||