| 发明名称 | 氮化硅结合SiC耐火材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种耐热冲击性优异的氮化硅结合SiC耐火材料的制造方法。本发明的氮化硅结合SiC耐火材料的制造方法的特征在于，该制造方法具有将扁平颗粒的SiC粉末与Si粉末和选自Al、AlN、Al氧化物、Ca氧化物、Mg氧化物、Fe氧化物、Ti氧化物、Zr氧化物中的至少一种混合的工序，所述SiC粉末的初期堆密度优选为1.40～1.55g/cm3。 | ||
| 申请公布号 | CN102131748A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200980133276.4 | 申请日期 | 2009.07.27 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 须藤英一;内田富大 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种氮化硅结合SiC耐火材料的制造方法，该制造方法具有将扁平颗粒的SiC粉末与Si粉末和选自Al、AlN、Al氧化物、Ca氧化物、Mg氧化物、Fe氧化物、Ti氧化物、Zr氧化物中的至少一种混合的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||