| 发明名称 | 具有隔离沟槽衬垫的半导体器件及相关制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制造半导体器件结构(300)的方法，其中在产生的半导体器件结构(300)中减小了宽度效应。该方法涉及提供具有半导体材料(202)的衬底(200)，用基本上抑制高k材料在上面形成的衬垫材料(214)衬垫该隔离沟槽(212)。然后用绝缘材料填充(218)被衬垫的沟槽(216)。然后，在该绝缘材料(218)的至少一部分上方和该半导体材料(202)的至少一部分上方形成高k栅材料(232)层。该衬垫材料(214)分开高k栅材料(232)层，这防止了氧在该半导体材料(202)的有源区域上方的迁移。 | ||
| 申请公布号 | CN102132397A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200980134161.7 | 申请日期 | 2009.08.10 |
| 申请人 | 超威半导体公司 | 发明人 | 理查德·凯特;乔治·克卢特;迈克尔·哈格罗夫 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件结构(300)的方法，该方法包含：提供具有半导体材料(202)的衬底(200)；在所述半导体材料(202)中形成隔离沟槽(212)；用基本上抑制高k材料在上面形成的衬垫材料(214)衬垫所述隔离沟槽(212)，产生衬垫后的沟槽(216)；用绝缘材料(218)至少部分填充所述衬垫后的沟槽(216)；以及形成覆盖所述绝缘材料(218)的至少一部分和覆盖所述半导体材料(202)的至少一部分的高k栅材料(232)层，从而所述高k栅材料(232)层被所述衬垫材料(214)分开。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||