| 发明名称 | 沟槽型双层栅功率MOS器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS器件的制备方法，为在沟槽刻蚀形成之后，进行垂直的离子注入在所述沟槽下方形成第一阱区，所述第一阱区的导电类型与所述MOS晶体管中体区的导电类型相同；同时采用热氧工艺制备双层栅之间的氧化层。本发明的制备方法，使得栅极和漏极之间的寄生电容更小，因此使所得MOS器件具有更快的开关速度和更少的开关损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102130001A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027313.8 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;沈浩峰;缪进征 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种沟槽型双层栅功率MOS器件的制备方法，其特征在于：在沟槽刻蚀形成之后，进行垂直的离子注入在所述沟槽下方形成第一阱区，所述第一阱区的导电类型与所述MOS器件中体区的导电类型相同；同时采用热氧工艺制备双层栅之间的氧化层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||