| 发明名称 | 薄膜电阻器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102129900A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010170233.8 | 申请日期 | 2010.04.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 叶德强;匡训沖;刘铭棋;喻中一;赵治平;亚历山大·卡尼斯基 |
| 分类号 | H01C17/075(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01C17/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种薄膜电阻器的制造方法，包括：a形成一掺杂区于一半导体基板中；b形成一介电层于该基板上；c形成一薄膜电阻器于该介电层上；d形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出该掺杂区；e形成一导电垫层于该接触孔的侧壁；以及f同时对该薄膜电阻器与该导电垫层实施一快速热回火。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||