| 发明名称 | 晶体管元件及其制造方法以及发光元件和显示器 | ||
| 摘要 | 本发明提供在发射极-集电极之间可以以低电压进行大电流调制的晶体管元件。还提供上述晶体管元件的制造方法、具有该晶体管元件的发光元件和显示器。晶体管元件具有发射极3和集电极2。发射极3和集电极2之间设有半导体层5(5A、5B)和片状的基极4。半导体层5设于发射极3和基极4之间、以及集电极2和基极4之间，分别构成第2半导体层5B和第1半导体层5A，进一步优选基极的厚度为80nm以下。至少发射极和基极之间、或者集电极和基极之间设置有暗电流抑制层。 | ||
| 申请公布号 | CN102130299A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010603931.2 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社;大日本印刷株式会社;株式会社理光 | 发明人 | 横山正明;中山健一 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 郭煜;高旭轶 |
| 主权项 | 晶体管元件，其特征在于：该晶体管元件具备发射极、集电极，在发射极与集电极之间依次设有有机半导体层和厚度为40nm以下的基极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府吹田市 | ||