一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法，其中纳米线的制作方法包括：在衬底材料的表面生成呈三明治结构的三层介质层，并进行加工以形成三层介质层矩形图形；从侧面选择性地腐蚀三层介质层的夹心层，形成纳米尺度的缺口；在衬底材料上使用外延生长方式生成一层外延层，外延层填充满所述缺口以形成外延填充区；光刻三层介质层矩形图形的任一相对的两边，留下预定图形的光刻胶图形；刻蚀外延层并去除三层介质层，同时保留所述外延填充区以得到纳米线，且同时也在纳米线的两端形成了可作为晶体管源漏的块。本发明无需采用高精细的图形加工技术，制作方法实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，成本低，具有很强的实用价值。

主权项

一种纳米线的制作方法，其特征在于，包括：在衬底材料的表面生成呈三明治结构的三层介质层，并进行加工以形成三层介质层矩形图形；从侧面选择性地腐蚀三层介质层的夹心层，形成纳米尺度的缺口；在衬底材料上使用外延生长方式生成一层外延层，所述外延层填充满所述缺口以形成外延填充区；光刻所述三层介质层矩形图形的任一相对的两边，留下预定图形的光刻胶图形；刻蚀所述外延层，去除所述三层介质层，同时保留所述外延填充区以得到纳米线。