| 发明名称 | 一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构，包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属，第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔，碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直，导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳纳米管之间的间隙。本发明中的优点：用高束密度的碳纳米管束填充通孔，能明显提高导电能力；用导电金属填充通孔内的其余空隙，在提高通孔导电性的同时，还可以固定通孔中的碳纳米管使其具有长期稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102130091A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010593270.X | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 天津理工大学 | 发明人 | 张楷亮;胡凯;林新元;张勇;袁育杰 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 侯力 |
| 主权项 | 一种用于集成电路芯片的复合通孔互连结构，其特征在于：包括第一导电层、第二导电层、碳纳米管束和填充的导电金属，第一导电层和第二导电层之间设有垂直通孔，碳纳米管束位于垂直通孔内且与第一导电层垂直，导电金属为填充碳纳米管内的空隙和通孔内碳纳米管之间的间隙。 | ||
| 地址 | 300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 | ||