在EEPROM中形成隧道氧化层窗口的方法

摘要

本发明公开了一种在EEPROM中形成隧道氧化层窗口的方法，采用砷离子对预设的隧道氧化层窗口的位置进行轰击；采用湿法刻蚀去除器件区和非器件区的硅片表面原来所形成的牺牲氧化层；成长高压氧化膜，预设的隧道氧化层窗口位置形成的高压氧化膜的厚度大于其它硅片表面位置成长的高压氧化膜；进行隧道氧化层窗口的光刻，干刻终点探测停止在非器件区的硅片表面；利用湿法刻蚀去除终点探测干刻时剩下的栅氧化层。本发明能够减小隧道氧化层窗口，提高器件的集成度。

主权项

一种在EEPROM中形成隧道氧化层窗口的方法，在器件区和非器件区的硅片表面形成一层牺牲氧化层，在该牺牲氧化层的表面涂覆光刻胶，并在器件区预设隧道氧化层窗口的位置去除掉多余的光刻胶，直至所述牺牲氧化层的表面，其特征在于：首先，采用砷离子对预设的隧道氧化层窗口的位置进行轰击；去除光刻胶，采用湿法刻蚀去除所述的牺牲氧化层；然后，在器件区和非器件区的硅片表面成长高压氧化膜，预设的隧道氧化层窗口的位置形成的高压氧化膜的厚度大于没有经过重离子砷轰击的其余器件区和非器件区硅片表面成长的高压氧化膜；在器件区的高压氧化膜上涂覆光刻胶，采用干法刻蚀，进行隧道氧化层窗口的光刻，干刻隧道氧化层窗口的时候，光罩在非器件区硅片表面和预设的隧道氧化层窗口位置同时打开；干刻终点探测停止在非器件区的硅片表面；利用湿法刻蚀去除终点探测干刻时剩下的栅氧化层。