发明名称 |
下导板画素结构 |
摘要 |
本发明提供一种下导板画素结构,其将改良薄膜导电层的结构,将薄膜导电层两侧设计成具有凸起部与凹陷部的锯齿形状,当薄膜导电层与位于第二金属层的资料线发生对位误差过大时,此两侧凸起部与凹陷部的结构设计,将可使薄膜导电层与数据线之间形成的边际电容不对称的比例大幅降低,如此将可有效改善薄膜晶体管液晶显示面板发生画面不均匀的现象。 |
申请公布号 |
CN101707201B |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN200910036784.2 |
申请日期 |
2009.01.19 |
申请人 |
深超光电(深圳)有限公司 |
发明人 |
钟明达;邱昌明 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种下导板画素结构,其特征在于:包括,一第一金属层;一非晶硅层,位于该第一金属层上;一第二金属层,位于该非晶硅层上,且具有多条数据线;以及多个薄膜导电层,设置该第二金属层上,每一该薄膜导电层之两侧分别具有多个凸起部与多个凹陷部,且两相邻之该薄膜导电层之间对应设置有该数据线。一绝缘层,设置于该第一金属层与该非晶硅层之间及该第二金属层与该薄膜导电层之间。 |
地址 |
511458 广东省深圳市宝安区龙华镇民清路深超光电科技园A栋 |