| 发明名称 | 信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)SbxS100-x(原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。 | ||
| 申请公布号 | CN101636278B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200880008650.3 | 申请日期 | 2008.02.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高冈友康;西原孝史;儿岛理惠 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01)I;G11B7/243(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I;B41M5/26(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种信息记录介质，包含N个信息层，其中N为2以上的整数，其中，设上述N个信息层从激光入射侧开始为第N信息层、第N‑1信息层、第N‑2信息层……第2信息层、第1信息层时，第2信息层～第N信息层中的至少一个信息层含有能产生相变化的记录层，上述记录层含有包含Sb和S、且用下式(1)来表示的材料，并且厚度在2nm～9nm的范围内，SbxS100‑x (原子％) (1)其中，下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||