| 发明名称 | 集成电路的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种集成电路的形成方法，该方法包括：提供半导体晶片；形成鳍式场效应晶体管，包括：使用热注入对半导体晶片进行注入以于鳍式场效应晶体管中形成注入区。本发明可显著地减少双晶晶界缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102130059A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010183412.5 | 申请日期 | 2010.05.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;苏建彰;李宗鸿;林大文;黄文社 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种集成电路的形成方法，包括：提供一半导体晶片；形成一鳍式场效应晶体管，包括：使用一热注入对该半导体晶片进行注入以于该鳍式场效应晶体管中形成一注入区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||