发明名称 |
用高频等离子体法生产纳米三氧化二锑的方法和装置 |
摘要 |
本发明公开了一种用高频等离子体法生产纳米三氧化二锑的方法和装置,将粒度不超过0.1mm的锑氧化物粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内,使粉料在立式反应炉的6000~10000℃的等离子体弧区内气化,气态三氧化二锑在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下,收集,即得。本发明创新性的采用复式给料装置均匀给料并经气体雾化,保证粒度分布均匀,采用高频等离子体为热源,将锑氧化物粉末瞬间气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米三氧化二锑,所得成品的纯度高,平均粒径为35~60nm、比表面积为43~65㎡/g,本发明具有工艺设备简单、易于操作、产品质量好的特点。 |
申请公布号 |
CN102126755A |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN201110114236.4 |
申请日期 |
2011.05.05 |
申请人 |
贵州正业工程技术投资有限公司 |
发明人 |
张瑜;王翔;沈志平;高跃生;黎明 |
分类号 |
C01G30/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G30/00(2006.01)I |
代理机构 |
贵阳中新专利商标事务所 52100 |
代理人 |
顾书玲 |
主权项 |
用高频等离子体法生产纳米三氧化二锑的方法,其特征在于:将粒度不超过0.1mm的锑氧化物粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内,使粉料在立式反应炉的6000~10000℃的等离子体弧区内气化,气态三氧化二锑在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下,收集,即得。 |
地址 |
550005 贵州省贵阳市宝山南路564号 |