| 发明名称 | 改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法，包括如下步骤：步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图形；步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层中；步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡；步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤；步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内侧壁形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。本发明能够精确控制发射极窗口的氧化层开口的尺寸，使器件性能更加稳定和可控。 | ||
| 申请公布号 | CN102129991A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027288.3 | 申请日期 | 2010.01.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 阚欢;何伟明 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法，包括如下步骤：步骤一、在依次形成的氧化层、氮化硅层上涂布光刻胶，通过光刻形成所需的图形；步骤二、采用干法刻蚀刻通光刻后曝露出的所述氮化硅层，并延伸至所述氧化层中；其特征在于，还包括：步骤三、在干法刻蚀后形成的图形内进行弱酸浸泡；步骤四、在干法刻蚀后形成的图形内及光刻胶表面涂布有机物并进行烘烤；步骤五、通过显影去除多余的有机物，在光刻胶表面和干法刻蚀后形成的图形内侧壁形成一层保护层；步骤六、采用湿法刻蚀去除所述有机物保护层和曝露出的氧化层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||