| 发明名称 | 超亮度发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种超亮度发光二极管及其制作方法。所述超亮度发光二极管包括：反射衬底，所述反射衬底上的发光二极管管芯，其中，所述反射衬底朝向发光二极管管芯的一侧形成有反射凹坑。本发明的超亮度发光二极管底部的反射衬底上形成有反射凹坑，所述反射凹坑将射向衬底的光线反射出去，提高了发光二极管的出光效率；同时，所述发光二极管两侧形成有自集成侧边反射罩，所述自集成侧边反射罩将沿发光二极管侧向发射的光线反射出去，进一步提高了发光二极管的出光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102130249A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010503196.8 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发明人 | 张汝京;肖德元 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种超亮度发光二极管，其特征在于，包括：反射衬底，所述反射衬底上的发光二极管管芯，其中，所述反射衬底朝向发光二极管管芯的一侧形成有一个以上的反射凹坑。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区牛顿路200号5号楼101室 | ||