| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的顶表面和从所述顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。 | ||
| 申请公布号 | CN102130125A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010623026.3 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林夏珍;金明宣;郑会晟;都晋昈;金元洪;宋文均;朱大权 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;罗延红 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||