SONOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS器件，其源漏镜像对称，栅极包括一氮氧化硅浮栅和一多晶硅控制栅，氮氧化硅浮栅在沟道方向分为互相隔离且在隔离氧化层两侧呈镜像对称的氮氧化硅浮栅一和氮氧化硅浮栅二。氮氧化硅浮栅一和二在沟道方向的宽度通过侧墙工艺来定义，隔离氧化层的宽度通过侧墙的间距来定义。本发明还公开了所述SONOS器件的制造方法。本发明能够缩小器件的特征尺寸、提高器件的集成度，还能够避免镜像数据位间发生数据合并或丢失、提高器件的可靠性。

主权项

一种SONOS器件，其特征在于，包括：一源区、一漏区和一沟道区，所述源区和漏区形成于硅衬底上，沟道区处于源区和漏区之间，所述源区和漏区掺杂相同并在所述沟道区两侧呈镜像对称结构；一氮氧化硅浮栅，形成于所述沟道区上方，所述氮氧化硅浮栅和所述沟道区通过一浮栅氧化层相隔离，所述氮氧化硅浮栅在沟道方向分为互相用氧化层隔离且在所述隔离氧化层两侧呈镜像对称的氮氧化硅浮栅一和氮氧化硅浮栅二，所述氮氧化硅浮栅一和氮氧化硅浮栅二分别靠近所述源区和漏区；一多晶硅控制栅，形成于所述氮氧化硅浮栅上方并通过一控制栅氧化层和所述氮氧化硅浮栅相隔离。