| 发明名称 | 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102130037A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010607936.2 | 申请日期 | 2010.12.27 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 魏星;王中党;叶斐;曹共柏;林成鲁;张苗;王曦 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||